三星电子称“通用DRAM比HBM更挣钱”但许诺坚持均衡出产
【CNMO科技音讯】4月30日，三星电子在2026年第一季度财务报表电话会议上表明，近期通用DRAM的盈余才能已高于高带宽存储器（HBM），但公司将保持两者之间的均衡出产比重。
三星电子方面供认：“近期通用DRAM的价格会呈现上涨，其盈余才能的确比HBM更高。”公司解说称，HBM以年度为单位提早签定供给合同，而通用DRAM则以季度为单位做价格洽谈，因而通用DRAM可以更早反映价格上涨的趋势，导致短期内的收益性呈现反转。
不过，三星电子清晰说，不会由于通用DRAM短期盈余更高而大幅调整出产结构。公司着重，若出产过度向通用DRAM歪斜，反而会加重HBM的求过于供局势，到时HBM的盈余才能有望从头追逐上来。因而，三星方案在通用DRAM和HBM之间保持均衡的出产份额，统筹短期成绩与长时间战略。
三星电子半导体事务负责人进一步泄漏，HBM4的差异化功能现已招引了很多客户的实在需求，公司为HBM4预备的悉数产能均已售罄。估计本年下半年，HBM4的供给量将全面扩展，其销售额将在第三季度占到三星全体HBM销售额的一半以上，在本年全年也将占有过半比重。
在技能迭代方面，三星电子已将1c纳米制程的DRAM引进HBM4出产以提高产品功能。一起，下一代高带宽存储器HBM4E（第七代HBM）的第一批样品方案于本年第二季度向首要客户供给，相关事务预备工作正在加快推动。
